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AOZ9250DI(功率IC)
集成MOSFET的单电池保护IC
一般的描述
AOZ9250DI是一种集成共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC。由于存在电池过充、过放电和过流的状态,该装置包括精确的电压检测器和延时电路,适用于保护单个锂离子/锂聚合物可充电电池。
AOZ9250DI 可用在2mmx4mm 6pin小型DFN封装和工作适应温度范围在-40℃到+85℃之间。
特性
集成共漏极N沟道MOSFET 23.8mΩ(trp.)源对源电阻
高精度电压检测电路
超载检测精度:±25mV(±25℃),±45mV(-10℃到60℃)
超载发布准确性:±40mV
过放电检测精度:±100mV
过放电发布准确性:±100mV
放电过电流检测精度:±20mV
充电过流检测精度:±15mVl±
20%准确的内部检测延迟时间(不需要外部借助外部电容器)l
充电器额定电压:24 Vl
适应比较宽的温度范围:-40℃到85℃
低电流消耗
在温度增加25℃的操作模式000000下,得出的数据为2.8μA(typ.)和5.0μA(max)采用2*4mm 6脚 小型DFN封装
应用程序
锂离子可充电电池l
锂聚合物可充电电池
美国万代半导体(AOS)公司是一家专门从事电源类集成电路设计和生产的高科技公司,于2000年在美国加州成立总部。AOS在全球设有办事处,其中包括美国、中国大陆、香港、台湾及韩国。产品主要运用在电源管理的领域,类如电子烟、电脑、数码相机、LCD液晶显示器、手机、电池等。AOS为消费、计算等领域提供电源管理方案,MOSFET是AOS传统强项,在开关速度、减小损耗方面拥有优异表现,在PC应用上取得了世界前三的市场地位.AOS又推出了新的UniSiC MOSFET,针对大型太阳能逆变器等高端应用,可在发挥SiC MOSFET优势的同时,显著降低由于二极管带来的能源损耗,在提高能源效率上有突出优势.AOS非常注重新科技给产品带来的品质和技术提升,透过不断发展新科技,制造新产品和设置创新的解决方案,AOS尽力地将卓越的设计,可靠的生产,和我司快速的回应提供给客户。
AOS向市场推出的产品设计也是针对客户的特定需要,使之得益.AOS以拥有功率半导体技术和商业运作之全面经验感到自豪.与作为主要竞争对手的其他电源大厂相比,AOS在新工艺方面更加锐进,其Power MOSFET产品采用8寸晶圆,在高良率,高性价比方面占技术优势.AOS也在合作的晶圆代工厂配置了公司专有的芯片处理和包装技术,以配合设计和生产先进的功率半导体产品。
(如需具体型号元器件详细资料及规格书,可以随时联系我司业务索取。)
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